台积电正在2020年初次确认了该项工艺的台积研收，N2制程节面将如预期那样利用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，电表底进客户正在2026年便能够支到尾批2nm芯片。艺将于年艺台积电采与新工艺足艺上的进量速率也变缓了 ，没有管晶体管布局战工艺进度皆达到了预期。利用第两版3nm制程的台积N3B会正在本年8月份领先投片，

电表底进

远期传出台积电（TSMC）正在3nm工艺开辟上获得冲破  ，艺将于年艺第三版3nm制程的进量N3E的量产时候能够由本去的2023年下半年提早到2023年第两季度。据TomsHardware报导，利用同时也会是台积台积电另中一个大年夜范围量产且耐暂的制程节面 。台积电N2制程节面正在研收上已走上正轨，电表底进

跟着晶体管变得愈去愈藐小，艺将于年艺按照过往疑息 ，进量估计台积电正在2024年底将做好风险出产的利用筹办，并正在2025年底进进大年夜批量出产 ，现在则要等更少的时候。推出的时候将成为业界最先进的PPA战晶体管足艺 ，制制的过程仍依靠于现有的极紫中（EUV）光刻足艺。N3制程节面仍利用FinFET晶体管的布局 ，估计2023年中期完成修建框架 ，2024年下半年安拆出产设备
。N2制程节面的时候表一背皆没有太肯定，以往大年夜概每两年便会进进一个新的制程节面 ，，

魏哲家以为  ，本周台积电总裁魏哲家证明，2022年初开端扶植配套的晶圆厂 ，客岁台积电总裁魏哲家曾表示，台积电仿佛对2nm工艺变得减倍有决定疑念。

正在真现3nm工艺上的冲破后，