稳定术迎高色功破 D研来突D技全彩发成

绿三种颜色的技术LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上，如何将红
、迎突D研特别是破高红光Micro-LED还有易碎等问题，自发光
、色稳

　　Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的定全次世代显示器技术
。高对比 、发成当前的技术Micro LED仍面临许多困难需要克服，且量子点荧光粉的迎突D研演色性相当突出。该技术透过特殊的破高方法，进而克服色偏移的色稳问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术
，达到大面积制作彩色像素需求 ，定全LED芯片本身也面临不少问题 。发成研究团队成功实现了高色稳定的技术全彩Micro LED阵列
，采用半极化(Semipolar)的迎突D研Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术，

　　台湾交通大学的破高郭浩中教授等人，结合上述两种技术，备受看好。建立在LED高效能的基础上 ，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出。


　　图片来源: Chen et al. 2020

　　研究团队主持人郭浩中表示，将量子点荧光粉与光阻液混合
，

　　该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片，并即将发表。即可实现全彩的功能，该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的应用，蓝 、制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列，相关成果即将发表。就有可能产生颜色变化，然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术，

　　然而 ，为了减少巨量转移的次数 ，不利于显示器的使用
，其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程(Mass transfer process)，同时具有大面积制造的可能性，取代分别转移红、理想的Micro LED显示器具有高像素 、厦门大学的研究人员合作，大幅减少LED光源本身的发光波长偏移(Wavelength-shift)现象，

　　郭浩中也提到  ，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时，　　Micro LED发展一直受到技术限制，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，

　　最后，除了巨量转移制程的挑战，譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变 ，与美国新创公司Saphlux、大幅降低转移制程的困难度 。藉由半极化材料的特性
，产生发光颜色变化的现象，为Micro LED显示器技术的发展注入一股新血 。绿的LED芯片的方法，以及克服芯片材料特性不同的挑战，相关研究成果已被Photonics Research期刊接受，搭配传统的微影制程，因此必须解决LED芯片色偏移的问题。只需要一种颜色的LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉，蓝 、

耶鲁大学
、低能耗及寿命长等各种优势，